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Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Simulation mit PSPICE

Peter Baumann

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Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH img Link Publisher

Naturwissenschaften, Medizin, Informatik, Technik / Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik

Beschreibung

Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.

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Schlagwörter

Bipolartransistor, Halbleiterdiode, Feldeffekttransistor, Sperrschickt-Feldeffekttransistor, SPICE-Modellparameter, OrCAD-PSPICE