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Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET
Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry, Iraj Sadegh Amiri, et al.
PDF
ca. 96,29 €
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Springer International Publishing 
Naturwissenschaften, Medizin, Informatik, Technik / Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik
Beschreibung
This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications.
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Schlagwörter
Complementary SOI MESFETs, MESFET-CMOS, silicon MESFET, SOI-MESFET, MOS transistors