Fundamentals of Power Semiconductor Devices
B. Jayant Baliga
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Naturwissenschaften, Medizin, Informatik, Technik / Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik
Beschreibung
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment focuses on silicon devices and includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.
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Schlagwörter
transport physics, Schottky rectifiers, silicon devices, field-effect transistor, power electronics, semiconductor devices, Leistungsfeldeffekttransistor, Thyristor, bipolar junction transistor, Transistor, metal oxide semiconductur field-effect transistor